SOITEC公司O·科农丘克获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉SOITEC公司申请的专利包括高电阻基板的半导体元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN108022840B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201711068704.2，技术领域涉及：H10P95/90；该发明授权包括高电阻基板的半导体元件的制造方法是由O·科农丘克;I·贝特朗;L·卡佩洛;M·波卡特设计研发完成，并于2017-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括高电阻基板的半导体元件的制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种包括高电阻基板的半导体元件的制造方法。制造半导体元件的方法包括快速热处理步骤，快速热处理步骤将包括电阻率大于1000欧姆·厘米的基底的基板暴露于能够使基底的电阻率变差的峰值温度。根据本发明，在快速热处理的步骤之后进行矫正热处理，所述矫正热处理将基板暴露于800℃和1250℃之间的矫正温度中，并且具有下述冷却速率：当矫正温度在1250℃和1150℃之间时，小于5℃秒；当矫正温度在1150℃和1100℃之间时，小于20℃秒；以及当矫正温度在1100℃和800℃之间时，小于50℃秒。
本发明授权包括高电阻基板的半导体元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.半导体元件的制造方法，该方法包括快速热处理的步骤，所述快速热处理的步骤将基板1暴露至峰值温度，所述基板1包括电阻率大于1000欧姆·厘米的基底2、在所述基底2上的绝缘体层4和在所述绝缘体层4上的表面层5，所述峰值温度能够使基底2的电阻率变差，所述方法的特征在于，在快速热处理的步骤之后进行矫正热处理，所述矫正热处理将基板暴露至在800℃和1250℃之间的矫正温度，并具有下述冷却速率： -当矫正温度在1250℃和1150℃之间时，冷却速率小于5℃秒， -当矫正温度在1150℃和1100℃之间时，冷却速率小于20℃秒，以及 -当矫正温度在1100℃和800℃之间时，冷却速率小于50℃秒， 其中，矫正温度保持为： -低于或等于1000℃持续至少1分钟，或者 -低于或等于950℃持续至少5分钟，或者 -低于或等于900℃持续至少30分钟。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人SOITEC公司，其通讯地址为：法国贝尔尼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励