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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器器件、错误校正码系统和校正错误的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110970081B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910927012.1，技术领域涉及：G11C29/42；该发明授权存储器器件、错误校正码系统和校正错误的方法是由野口纮希;池育德;杨学之;兰迪·奥斯本;柯文昇设计研发完成，并于2019-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器器件、错误校正码系统和校正错误的方法在说明书摘要公布了：存储器器件诸如MRAM器件包括多个存储器宏，其中每个存储器宏包括存储器单元的阵列和第一ECC电路，第一ECC电路配置为检测相应存储器宏中的数据错误。第二ECC电路远离多个存储器宏，并且通信地耦合到多个存储器宏中的每个。第二ECC电路配置为从多个存储器宏的第一ECC电路接收检测到的数据错误并且校正数据错误。本发明的实施例还涉及错误校正码系统和校正错误的方法。

本发明授权存储器器件、错误校正码系统和校正错误的方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，包括： 多个存储器宏，每个存储器宏包括存储器单元的阵列和第一错误校正码电路，所述第一错误校正码电路配置为检测相应存储器宏中的数据错误； 第二错误校正码电路，远离所述多个存储器宏，并且通信地耦合到所述多个存储器宏中的每个，并且配置为从所述多个存储器宏的所述第一错误校正码电路接收检测到的数据错误，并且将校正的数据写入到存储器阵列， 其中，每个存储器宏包括磁随机存取存储器宏，所述磁随机存取存储器宏的每个还包括： 磁随机存取存储器位单元的阵列，每个所述磁随机存取存储器位单元包括： 磁隧道结元件； 存取晶体管，耦合到所述磁隧道结元件； 第一位线，耦合到所述存取晶体管； 第二位线，耦合到所述磁隧道结元件； 字线，耦合到所述存取晶体管的栅极；以及 局部输入输出电路，耦合到所述磁随机存取存储器位单元的所述第一位线和所述第二位线， 其中，所述第一错误校正码电路包括： 第一校正子s1发生器，耦合到所述第一位线和所述第二位线； 第二校正子s3发生器，耦合到所述第一位线和所述第二位线； 错误检查电路，耦合到所述第一校正子s1发生器和所述第二校正子s3发生器中的每个的输出； 所述第二错误校正码电路包括： 编码器计算电路，耦合到所述局部输入输出电路； 校正子s1的立方计算电路，耦合到所述第一校正子s1发生器的输出； 校正子s1逆电路，耦合到所述第一校正子s1发生器的输出； 校正子比较器，耦合到所述校正子s1的立方计算电路的输出和所述第二校正子s3发生器的输出； 伽罗瓦域多计算电路，耦合到所述校正子比较器的输出和所述校正子s1逆电路的输出； 错误校正电路，耦合到所述局部输入输出电路、所述第一校正子s1发生器和所述伽罗瓦域多计算电路；和 校验位发生器电路，用于校正具有错误的所述磁随机存取存储器位单元。

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