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龙图腾网获悉杭州士兰明芯科技有限公司申请的专利一种LED芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111490138B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010334420.9，技术领域涉及：H10H20/813；该发明授权一种LED芯片及其制造方法是由马拥军;邱伟设计研发完成，并于2020-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种LED芯片及其制造方法，LED芯片包括：衬底；第一LED结构和第二LED结构，第一LED结构和第二LED结构共用衬底。本发明的LED芯片包括第一LED结构和第二LED结构，第一LED结构和第二LED结构共用衬底，第一LED结构的第一外延层和第二LED结构的第二外延层可分别或同时控制发光，提高了LED芯片的发光亮度和发光均匀性。

本发明授权一种LED芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，其中，包括： 衬底，所述LED芯片通过所述衬底中的打孔区能够与其他LED芯片串起来； 第一LED结构和第二LED结构，所述第一LED结构和第二LED结构共用所述衬底； 所述第一LED结构包括：位于所述衬底的第一表面上的第一外延层，所述第一外延层包括由下向上依次设置的第一半导体层、第一发光层和第二半导体层；第一PN台阶，位于所述第一外延层中，所述第一PN台阶的第一上台阶面为所述第二半导体层，第一下台阶面为所述第一半导体层，所述第一上台阶面和所述第一下台阶面之间连接形成第一PN台阶侧面；第一电流扩展层，位于所述第二半导体层上，覆盖部分所述第二半导体层； 所述第二LED结构包括：位于所述衬底的第二表面上的第二外延层，所述第二外延层包括由上向下依次设置的第三半导体层、第二发光层和第四半导体层；第二PN台阶，位于所述第二外延层中，所述第二PN台阶的第二上台阶面为所述第三半导体层，第二下台阶面为所述第四半导体层，所述第二上台阶面和所述第二下台阶面之间连接形成第二PN台阶侧面；第二电流扩展层，位于所述第四半导体层下，覆盖部分所述第四半导体层； 其中，第一导通孔位于所述第一PN台阶的第一下台阶面和所述第二PN台阶的第二上台阶面，贯穿所述第一半导体层、所述衬底和所述第三半导体层；第二导通孔位于所述第一电流扩展层的第一开口和所述第二电流扩展层的第二开口内，贯穿所述第一半导体层、所述第一发光层、所述第二半导体层、所述第一电流扩展层、所述衬底、所述第三半导体层、所述第二发光层、所述第四半导体层和所述第二电流扩展层； 第一钝化层位于所述第一电流扩展层上，第二钝化层位于所述第二电流扩展层下，所述第一钝化层和所述第二钝化层共同铺满所述第一导通孔和所述第二导通孔的整个内壁， 第一电极和第二电极位于所述第一钝化层上，第三电极和第四电极位于所述第二钝化层下，所述第一电极和所述第二电极彼此隔离，所述第四电极与所述第三电极彼此隔离，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极通过所述第一电流扩展层与所述第二半导体层电连接，所述第三电极与所述第三半导体层电连接，所述第四电极通过所述第二电流扩展层与所述第四半导体层电连接，所述第一电极和所述第三电极共同铺满所述第一导通孔内壁的所述第一钝化层和所述第二钝化层，所述第二电极和所述第四电极共同铺满所述第二导通孔内壁的所述第一钝化层和所述第二钝化层。

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