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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利半导体模块及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111863632B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010331014.7，技术领域涉及：H10W76/05；该发明授权半导体模块及其制造方法是由G·特里奇伦加拉詹设计研发完成，并于2020-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体模块及其制造方法在说明书摘要公布了：一种用于制造功率半导体模块装置100的方法包括：使无机填充物81与浇注材料5混合，由此制备包括第一浓度的无机填充物81的混合物，其中，所述无机填充物81具有高于浇注材料5的密度ρcccc的密度ρff。所述方法还包括：将包括无机填充物81和浇注材料5的混合物填充到外壳7中，其中，半导体衬底10被布置在外壳7内，并且其中，至少一个半导体主体20被布置在半导体衬底10的顶表面上；执行沉淀步骤，在沉淀步骤期间，无机填充物81沉淀到半导体衬底10和所述至少一个半导体主体20上，由此形成包括浇注材料5的部分和无机填充物81的第一层800以及包括浇注材料5的剩余部分但没有无机填充物81的第二层801；以及使浇注材料5硬化。

本发明授权半导体模块及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造功率半导体模块装置100的方法，包括： 使无机填充物81与浇注材料5混合，由此制备包括第一浓度的无机填充物81的混合物，其中，所述无机填充物81具有高于所述浇注材料5的密度ρcc的密度ρf； 将包括所述无机填充物81和所述浇注材料5的所述混合物填充到外壳7中，其中，半导体衬底10被布置在所述外壳7内，并且其中，至少一个半导体主体20被布置在所述半导体衬底10的顶表面上； 执行沉淀步骤，在所述沉淀步骤期间，所述无机填充物81向下沉淀到所述半导体衬底10和所述至少一个半导体主体20上，由此形成包括所述浇注材料5的部分和所述无机填充物81的第一层800以及包括所述浇注材料5的剩余部分但没有所述无机填充物81的第二层801；以及 使所述浇注材料5硬化， 其中，在所述沉淀步骤期间加热所述功率半导体模块装置100，由此使所述浇注材料5液化，其中，在所述第一层800中，利用所述浇注材料5填充所述无机填充物81的颗粒之间的所有剩余空间和缝隙并且使所述浇注材料5与所述无机填充物81交联，并且其中，所述无机填充物81包括具有两种或更多种不同直径的颗粒，以提高所述无机填充物81的堆积密度。

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