中央硝子株式会社武田雄太获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中央硝子株式会社申请的专利干蚀刻方法、半导体设备的制造方法和蚀刻装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113498547B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080018047.4，技术领域涉及：H10P50/26；该发明授权干蚀刻方法、半导体设备的制造方法和蚀刻装置是由武田雄太;山内邦裕;八尾章史设计研发完成，并于2020-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本干蚀刻方法、半导体设备的制造方法和蚀刻装置在说明书摘要公布了：本发明的干蚀刻方法的特征在于，其是使包含β‑二酮的蚀刻气体与形成于被处理体的表面的金属膜接触而蚀刻所述金属膜的干蚀刻方法，所述方法包括：使包含第1β‑二酮的第1蚀刻气体与上述金属膜接触的第1蚀刻工序；及在上述第1蚀刻工序之后，使包含第2β‑二酮的第2蚀刻气体与上述金属膜接触的第2蚀刻工序，上述第1β‑二酮是能够通过与上述金属膜的反应而生成第1络合物的化合物，上述第2β‑二酮是能够通过与上述金属膜的反应而生成升华点比上述第1络合物低的第2络合物的化合物。
本发明授权干蚀刻方法、半导体设备的制造方法和蚀刻装置在权利要求书中公布了：1.一种干蚀刻方法，其特征在于， 其是使包含β-二酮的蚀刻气体与形成于被处理体的表面的金属膜接触而蚀刻所述金属膜的干蚀刻方法，所述方法包括： 第1蚀刻工序，使包含第1β-二酮的第1蚀刻气体与所述金属膜接触；及 第2蚀刻工序，在所述第1蚀刻工序之后，使包含第2β-二酮的第2蚀刻气体与所述金属膜接触， 所述第1β-二酮是能够通过与所述金属膜的反应而生成第1络合物的化合物， 所述第2β-二酮是能够通过与所述金属膜的反应而生成升华点比所述第1络合物低的第2络合物的化合物， 所述第1蚀刻气体和所述第2蚀刻气体各自独立地还包含选自由NO、NO2、N2O、O2、O3、H2O和H2O2组成的组中的至少1种添加气体。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中央硝子株式会社，其通讯地址为：日本山口县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励