新唐科技日本株式会社本吉要获国家专利权
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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利单片半导体装置以及混合半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113646888B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080025404.X，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权单片半导体装置以及混合半导体装置是由本吉要;上谷昌稔设计研发完成，并于2020-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本单片半导体装置以及混合半导体装置在说明书摘要公布了：单片半导体装置具有：基板11；在基板11上形成的第1氮化物半导体层102；在第1氮化物半导体层102上形成的、带隙比第1氮化物半导体层102大的第2氮化物半导体层103；在基板11上形成的、由第1氮化物半导体层102以及第2氮化物半导体层103构成的HEMT型的功率放大用的第1晶体管12；以及第1偏置电路20，被形成在基板11上，向第1晶体管12的栅极施加偏置电压，且包括被配置在输入到第1晶体管12的高频信号的传播路径外的HEMT型的第2晶体管21。
本发明授权单片半导体装置以及混合半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种单片半导体装置， 所述单片半导体装置具备： 基板，具有氮化物半导体层； HEMT型的第1晶体管，被形成在所述基板上，构成Doherty放大电路的载波放大器，HEMT是指，HighElectronMobilityTransistor即高电子迁移率晶体管；以及 第1偏置电路，向所述第1晶体管的栅极施加偏置电压， 所述第1偏置电路具有第1电阻元件、被形成在所述基板上的HEMT型的第2晶体管、以及第2电阻元件，且所述第1电阻元件、所述第2晶体管、以及所述第2电阻元件按照该顺序，被串联连接在第1偏置端子与第2偏置端子之间，在所述第2偏置端子施加的电压，比在所述第1偏置端子施加的电压低， 所述第1电阻元件与所述第2晶体管的连接点，与所述栅极连接， 所述第1晶体管由在连续的活性区域内形成的多个第1单位晶体管构成， 所述多个第1单位晶体管的每一个单位晶体管在所述活性区域内具有源极区域、第1栅极指状物以及漏极区域， 所述第2晶体管所具有的第2栅极指状物的延伸方向与所述第1栅极指状物的延伸方向相同， 所述第2栅极指状物的长度比所述第1栅极指状物的长度短。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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