中国科学院微电子研究所张利斌获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990743B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111228709.3，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权一种半导体器件的制造方法是由张利斌;韦亚一;宋桢;粟雅娟;何建芳;马乐设计研发完成，并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，在待引出结构上形成光刻涂层，光刻涂层包括第一膜层、光刻膜层和第二膜层，第一膜层和第二膜层的折射率都小于1，以便光刻涂层形成一个反射系数较高的光学结构，利用目标波长的光和掩模对光刻涂层进行曝光，待引出结构被光刻涂层进行反射，将待引出结构作为掩模成像至光刻膜层，同时将掩模的图形也成像至光刻膜层，即待引出结构和掩模的图形都成像至光刻膜层的目标区域，目标区域对应待引出结构，实现了待引出结构的图层与接触孔所在图层的自对准，只有在一次曝光过程中待引出结构和掩模的图形同时在光刻膜层成像的重叠区域才会对应待引出结构，能够提高不同的图层之间的对准精度，降低对准误差。
本发明授权一种半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件包括衬底以及位于衬底一侧的待引出结构，所述方法包括： 在所述待引出结构上形成光刻涂层，所述光刻涂层包括依次层叠的第一膜层、光刻膜层和第二膜层，所述第一膜层和所述第二膜层的折射率小于1； 利用目标波长的光以及掩模对所述光刻涂层进行曝光，以将所述待引出结构成像和所述掩模的图形共同成像至所述光刻膜层的目标区域；所述目标区域对应所述待引出结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励