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龙图腾网获悉许继集团有限公司;国网河北省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司申请的专利一种存储芯片数据记忆力验证方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114067896B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111359252.X，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权一种存储芯片数据记忆力验证方法及装置是由李莎莎;李铁成;常风然;王振华;郭震;赵群辉;胡翔宇;朱晓军;王希栋;侯涛;王淇森;姚艳艳;孙世杰;邢珊珊;王群伟;王志鹏设计研发完成，并于2021-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储芯片数据记忆力验证方法及装置在说明书摘要公布了：一种存储芯片数据记忆力验证方法及装置。该方法通过控制信号发生器的占空比以控制存储芯片在擦写读操作期间的上电和掉电时间，根据比较存储芯片中固有数据在掉电前后是否一致，来评估存储芯片数据存储的可靠性。该方法和装置提供了FLASH芯片频繁上电掉电时的数据存储可靠性的验证，根据验证结果对芯片的外围电路和存储方案进行改进，进而大大提高存储芯片的存储性能。

本发明授权一种存储芯片数据记忆力验证方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种存储芯片数据记忆力验证方法，其特征在于，包括如下步骤： 在存储芯片的Block1～BlockN-a中写入固定数据，其中N为存储芯片的Block总数量，0＜a＜N； 上电数据加载成功后对剩余Block块BlockN-a+1～BlockN进行擦写读操作； 调节信号发生器的占空比，在刚进行擦写读操作的时刻t1处使得存储芯片掉电； 上电后比较Block1～BlockN-a中的数据，判断其是否被误改变； 如果Block1～BlockN-a中的数据没有被误改变，调节信号发生器的占空比，使得芯片在进行擦写读操作后延时Δt时间时、即时刻t1+Δt时掉电； 如果Block1～BlockN-a中的数据没有被误改变，调节信号发生器的占空比，使得芯片在进行擦写读操作后延时2Δt时间时、即时间t1+2Δt时掉电； 重复上述擦读写操作和掉电的步骤，一直到芯片在进行擦写读操作后延时T时间时、即时间t1+T时掉电，其中T为芯片的擦写读操作时间；所述上电和或掉电的时间精度控制在10us级以下； 如果Block1～BlockN-a中的数据被误改变，则返回存储芯片被误改变的结果。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人许继集团有限公司;国网河北省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司，其通讯地址为：461000 河南省许昌市许继大道1298号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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