格芯(美国)集成电路科技有限公司M·D·莱维获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利具有多晶有源区填充形状的结构以及相关方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078742B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110911819.3，技术领域涉及：H10W10/40；该发明授权具有多晶有源区填充形状的结构以及相关方法是由M·D·莱维;S·P·阿杜苏米利;贾加尔·辛格设计研发完成，并于2021-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有多晶有源区填充形状的结构以及相关方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种具有多晶有源区填充形状的结构以及相关方法。一种结构包括绝缘体上半导体SOI衬底，该SOI衬底包括半导体衬底、位于半导体衬底之上的掩埋绝缘体层和位于掩埋绝缘体层之上的SOI层。至少一个多晶有源区填充形状位于SOI层中。多晶隔离区可以位于掩埋绝缘体层下方的半导体衬底中。在提供至少一个多晶有源区填充形状的情况下，该至少一个多晶有源区填充形状在多晶隔离区之上横向对准。在提供多晶隔离区的情况下，多晶隔离区可以延伸到半导体衬底中的不同深度。
本发明授权具有多晶有源区填充形状的结构以及相关方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路结构，包括： 绝缘体上半导体SOI衬底，其包括半导体衬底、位于所述半导体衬底之上的掩埋绝缘体层、以及位于所述掩埋绝缘体层之上的SOI层；以及 位于所述SOI层中的至少一个多晶有源区填充形状。
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