中国科学院高能物理研究所钱森获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院高能物理研究所申请的专利中子探测器及中子探测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114236599B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111323671.8,技术领域涉及:G01T3/06;该发明授权中子探测器及中子探测方法是由钱森;王志刚设计研发完成,并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本中子探测器及中子探测方法在说明书摘要公布了:本公开提供一种中子探测器及中子探测方法。该中子探测器包括吸收层和光电探测器件,其中:吸收层包括至少一层伽马敏感层和至少一层中子敏感层,中子敏感层嵌在伽马敏感层的第一侧面,其中:待探测中子与待探测中子的伽马本底从伽马敏感层的第二侧面入射,第一侧面与第二侧面相对,伽马本底在伽马敏感层中沉积能量产生第一闪烁光,待探测中子在中子敏感层中沉积能量产生第二闪烁光;光电探测器件设置在嵌有中子敏感层的伽马敏感层的第一侧面,用于探测第一闪烁光和第二闪烁光,以实现对待探测中子和伽马本底的探测和鉴别。该方法实现了提高中子事例与伽马事例的甄别效果。
本发明授权中子探测器及中子探测方法在权利要求书中公布了:1.一种中子探测器,其特征在于,包括吸收层和光电探测器件,其中: 所述吸收层包括至少一层伽马敏感层和至少一层中子敏感层,所述中子敏感层嵌在所述伽马敏感层的第一侧面的槽中,所述中子敏感层呈片状,所述中子敏感层的厚度在0.05毫米至5毫米之间,所述伽马敏感层至少部分包围所述中子敏感层,其中: 待探测中子与所述待探测中子的伽马本底从所述伽马敏感层的第二侧面入射,所述第一侧面与所述第二侧面相对,所述伽马本底在所述伽马敏感层中沉积能量产生第一闪烁光,所述待探测中子在所述中子敏感层中沉积能量产生第二闪烁光,所述伽马敏感层吸收低能伽马射线的效率高于预设值; 所述光电探测器件设置在嵌有所述中子敏感层的所述伽马敏感层的第一侧面,同一所述光电探测器件用于探测所述第一闪烁光和所述第二闪烁光,以实现对所述待探测中子和所述伽马本底的探测和鉴别;其中: 所述伽马敏感层的发光衰减时间与所述中子敏感层的发光衰减时间之间的时间差值大于预设阈值;以及, 所述中子敏感层俘获所述待探测中子可形成全能峰,所述伽马本底的沉积能量不会形成全能峰。
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