上海磁宇信息科技有限公司何伟伟获国家专利权
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龙图腾网获悉上海磁宇信息科技有限公司申请的专利MRAM读出放大器及筛选方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114283860B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011040948.1，技术领域涉及：G11C7/06；该发明授权MRAM读出放大器及筛选方法是由何伟伟;戴瑾设计研发完成，并于2020-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本MRAM读出放大器及筛选方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种MRAM读出放大器及筛选方法，其在差分放大器的输入端设置复合的开关控制机制，控制存储单元的预充电及差分放大器启用时机，有效的复现存储单元的写入状态。另一方面，在MRAM生产过程中，通过对输入端以相异电位输入，结合差分放大器的复现情形，能有助于判定存储单元是否失效，并于失效时通过冗余单元作替换，较能有效提升MRAM的生产良率。
本发明授权MRAM读出放大器及筛选方法在权利要求书中公布了：1.一种读出放大器筛选磁性随机存储单元的方法，所述读出放大电路包括输入电路与差分放大器，所述输入电路包括具有磁性随道结的存储单元与参考电阻，其分别连接所述差分放大器的第一输入端与第二输入端，两组读操作控制开关分别连接至所述第一输入端与所述第二输入端，每一读操作开关包括读操作开关与开关管，其特征在于，所述方法包括： 设定所述存储单元的写入状态，使得所述存储单元与所述参考电阻的电阻值为相异； 设定相同的读电压至两个所述开关管的漏极； 设定两个预充电信号至两个所述开关管的栅极，所述两个开关管获取所述两个预充电信号的电压大小关系，相反于所述存储单元与所述参考电阻的阻值大小关系，两个所述开关管的阻值形成相异，以调节两个所述开关管对所述第一输入端的输入电压与所述第二输入端的输入电压； 通过所述差分放大器的输出，判断连接所述第一输入端的存储单元的已写入状态无法复现时，利用冗余电路取代所述第一输入端所连接的存储单元。
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