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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种抗电子辐照的MOSFET加固封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334886B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111575963.0，技术领域涉及：H10W70/40；该发明授权一种抗电子辐照的MOSFET加固封装结构是由梁琳;尚海设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗电子辐照的MOSFET加固封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种抗电子辐照的MOSFET加固封装结构，属于电子电力器件技术领域，具体包括：第一抗辐照导电片、第二抗辐照导电片和缓冲导电片；第一抗辐照导电片和第二抗辐照导电片覆盖MOSFET芯片；且第一抗辐照导电片和第二抗辐照导电片均为高Z材料；第一抗辐照导电片的一端通过缓冲导电片与MOSFET芯片上方的源极连接；第二抗辐照导电片的一端与MOSFET芯片下方的漏极连接；第一抗辐照导电片用于抵挡MOSFET芯片上方的电子辐照；第二抗辐照导电片用于抵挡MOSFET芯片下方的电子辐照。本发明实现了抗辐照性能、体积、重量乃至成本的折中。

本发明授权一种抗电子辐照的MOSFET加固封装结构在权利要求书中公布了：1.一种抗电子辐照的MOSFET加固封装结构，其特征在于，包括第一抗辐照导电片、第二抗辐照导电片、缓冲导电片、第三导电片、第四导电片、第五导电片和功率端子；所述第一抗辐照导电片和所述第二抗辐照导电片覆盖MOSFET芯片；且所述第一抗辐照导电片和第二抗辐照导电片均为高Z材料； 所述第一抗辐照导电片的一端通过所述缓冲导电片与所述MOSFET芯片上方的源极连接；所述第二抗辐照导电片的一端与所述MOSFET芯片下方的漏极连接； 所述第一抗辐照导电片用于抵挡所述MOSFET芯片上方的电子辐照；所述第二抗辐照导电片用于抵挡所述MOSFET芯片下方的电子辐照； 所述第四导电片的一端通过焊料与所述第一抗辐照导电片的另一端连接，其另一端与所述功率端子连接，用于引出所述MOSFET芯片的源极； 所述第二抗辐照导电片的另一端通过焊料与所述功率端子连接，用于引出所述MOSFET芯片的漏极； 所述第三导电片的一端连接所述MOSFET芯片的栅极，其另一端通过焊料与所述第五导电片连接，用于通过所述功率端子引出MOSFET芯片的栅极； 所述缓冲导电片用于缓解MOSFET芯片和焊料的应力； 所述第一抗辐照导电片、所述第二抗辐照导电片和所述第三导电片为钨或钽，厚度为0.2mm-2mm。

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