南京大学聂越峰获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种基于极性拓扑畴结构的复合薄膜和铁电存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400284B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210040890.3，技术领域涉及：H10B51/00；该发明授权一种基于极性拓扑畴结构的复合薄膜和铁电存储器及其制备方法是由聂越峰;韩露设计研发完成，并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于极性拓扑畴结构的复合薄膜和铁电存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于极性拓扑畴结构的复合薄膜和铁电存储器及其制备方法，属于铁电材料技术领域。它包括介电层和铁电层，介电层包括介电材料，铁电层包括铁电材料，所述铁电层平行设置于介电层表面；在所述介电层和铁电层中，其中一层是在另外一层表面生长形成；所述介电层的厚度为其中介电材料单个晶胞层厚度的X倍，铁电层的厚度为其中铁电材料单个晶胞层厚度的Y倍，0.5＜YX＜10，复合薄膜的厚度不超过30nm。本发明能实现超薄复合薄膜中单层极性类斯格明子拓扑纳米畴的制备，并可制备出高密度、高响应速度和低能耗调控的铁电存储器。
本发明授权一种基于极性拓扑畴结构的复合薄膜和铁电存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种包括基于极性拓扑畴结构的复合薄膜的铁电存储器，其特征在于，包括导电衬底和复合薄膜，所述导电衬底和复合薄膜平行设置并相连； 所述导电衬底为镀铂的硅衬底； 所述复合薄膜为实现了单层极性类斯格明子拓扑纳米畴的自支撑复合薄膜； 所述复合薄膜包括介电层和铁电层，介电层包括介电材料，铁电层包括铁电材料； 所述介电层和铁电层均为单晶薄膜层，铁电材料和介电材料均为氧化物材料； 所述铁电层平行设置于介电层表面；在所述介电层和铁电层中，其中一层是在另外一层表面生长形成；所述介电层的厚度为其中介电材料单个晶胞层厚度的X倍，铁电层的厚度为其中铁电材料单个晶胞层厚度的Y倍，0.5＜YX＜10，复合薄膜的厚度不超过30nm； 将所述复合薄膜转移至镀铂的硅衬底上，所述介电层与所述硅衬底接触； 所述铁电层可被操作地通过极性拓扑畴结构产生二极管导通特性，且可被操作地通过所述极性拓扑畴结构的变化调制所述二极管导通特性； 所述铁电存储器通过复合薄膜的二极管导通特性的调制变化存储信息。
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