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龙图腾网获悉深圳创维-RGB电子有限公司申请的专利EMMC损耗度检测方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420190B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210073136.X，技术领域涉及：G11C29/08；该发明授权EMMC损耗度检测方法、装置、电子设备及存储介质是由洪伟忠;姚文兴;陈敏;黄健;林晓宁;徐正新;王德闯;卢铁军设计研发完成，并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本EMMC损耗度检测方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请公开了EMMC损耗度检测方法、装置、电子设备及存储介质，所述EMMC损耗度检测方法包括：当检测到主EMMC满足预设检测条件时，在所述主EMMC对应的存储空间中选取空闲存储区域；通过将副EMMC中的损耗度检测数据存储至所述空闲存储区域，检测所述主EMMC对应的写入性能参数；通过所述副EMMC读取已存储至所述空闲存储区域的损耗度检测数据，检测所述主EMMC的读取性能参数；依据所述写入性能参数和所述读取性能参数，确定所述主EMMC的损耗度。本申请解决了现有技术中检测EMMC损耗度准确率低的技术问题。

本发明授权EMMC损耗度检测方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种EMMC损耗度检测方法，其特征在于，所述EMMC损耗度检测方法包括： 当检测到主EMMC满足预设检测条件时，在所述主EMMC对应的存储空间中选取空闲存储区域； 通过将副EMMC中的损耗度检测数据存储至所述空闲存储区域，检测所述主EMMC对应的写入性能参数； 通过所述副EMMC读取已存储至所述空闲存储区域的损耗度检测数据，检测所述主EMMC的读取性能参数； 依据所述写入性能参数和所述读取性能参数，确定所述主EMMC的损耗度； 其中，在所述检测到主EMMC满足预设检测条件的步骤之后，所述方法还包括： 判断所述主EMMC对应的存储空间中是否存在上一检测周期的预留检测数据； 若存在，则通过比对所述预留检测数据和所述损耗度检测数据的相似度，确定所述主EMMC的损耗状态； 其中，所述损耗状态包括第一损耗状态和第二损耗状态，所述通过比对所述预留检测数据和所述损耗度检测数据的相似度，确定所述主EMMC的损耗状态的步骤包括： 通过比对所述预留检测数据和所述损耗度检测数据的相似度，确定所述主EMMC的误码率； 判断所述误码率是否小于误码率阈值； 若是，则判定所述主EMMC处于所述第一损耗状态； 若否，则判定所述主EMMC处于所述第二损耗状态，所述第一损耗状态为严重损耗状态，所述第二损耗状态为轻微损耗状态，所述严重损耗状态和所述轻微损耗状态由所述误码率阈值界定。

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