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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司申请的专利显示基板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429959B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011187330.8，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权显示基板及其制备方法、显示装置是由周洋;韩林宏;杨慧娟设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示基板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：一种显示基板，包括：显示区域、挖槽区域以及电容补偿区域。显示区域至少部分地包围挖槽区域，电容补偿区域位于显示区域和挖槽区域之间。电容补偿区域设置有第一电容补偿单元。第一电容补偿单元包括：依次设置在基底上的半导体结构、第一金属结构和第二金属结构。半导体结构和第二金属结构之间的绝缘层设置有多个第一过孔，第二金属结构通过多个第一过孔与半导体结构连接。第一金属结构包括沿第一方向延伸的多条第二栅线。第二栅线与第二金属结构和半导体结构形成电容。多个第一过孔沿第一方向排布，且在垂直于第一方向的第二方向上，相邻两个第一过孔之间的距离至少大于两条第二栅线的宽度之和。

本发明授权显示基板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，其特征在于，包括： 显示区域、挖槽区域以及电容补偿区域，所述显示区域至少部分地包围所述挖槽区域，所述电容补偿区域位于所述显示区域和所述挖槽区域之间；所述显示区域内设置有多条第一栅线； 所述电容补偿区域设置有第一电容补偿单元； 所述第一电容补偿单元包括：依次设置在基底上的半导体结构、第一金属结构和第二金属结构；所述半导体结构与第一金属结构相互绝缘，所述第一金属结构与第二金属结构相互绝缘；所述半导体结构和第二金属结构之间的绝缘层设置有多个第一过孔，所述第二金属结构通过所述多个第一过孔与所述半导体结构连接； 所述第一金属结构包括沿第一方向延伸的多条第二栅线，至少一条第二栅线与对应的第一栅线连接；所述第二栅线在所述基底上的正投影与所述第二金属结构在所述基底上的正投影至少部分交叠，且所述第二栅线在所述基底上的正投影与所述半导体结构在所述基底上的正投影至少部分交叠；所述第二栅线与所述第二金属结构和半导体结构形成电容；所述第二金属结构至少包括：沿第一方向延伸的第一电位信号线； 所述多个第一过孔沿所述第一方向排布，且在垂直于所述第一方向的第二方向上，相邻两个第一过孔之间的距离至少大于两条第二栅线的宽度之和； 所述电容补偿区域还设置有第二电容补偿单元，所述第二电容补偿单元包括：依次设置在所述基底上且相互绝缘的第三金属结构和第四金属结构；所述第三金属结构与所述第一金属结构为同层结构，所述第四金属结构与所述第二金属结构为同层结构；所述第三金属结构在所述基底上的正投影与所述第四金属结构在所述基底上的正投影至少部分交叠，所述第三金属结构与所述第四金属结构形成电容； 所述第三金属结构包括的第二栅线与所述第一金属结构包括的第二栅线是连续的，所述第四金属结构包括的第一电位信号线与所述第二金属结构包括的第一电位信号线是连续的； 在电容补偿区域内，靠近挖槽区域的第二栅线与第二电容补偿单元和第一电容补偿单元连接；远离挖槽区域的第二栅线仅与第一电容补偿单元连接。

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