广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术(广东)有限公司嵇彤获国家专利权
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龙图腾网获悉广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术(广东)有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496903B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210126415.8，技术领域涉及：H10W10/13；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由嵇彤;叶甜春;朱纪军;李彬鸿;罗军;赵杰;许静;许滨滨;王国庆设计研发完成，并于2022-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制造方法，提供衬底结构，衬底结构包括硅衬底、硅衬底上的埋氧化层和埋氧化层上的半导体层，在衬底结构中形成隔离结构，隔离结构至少贯穿半导体层，形成覆盖半导体层和隔离结构的覆盖层，对覆盖层、半导体层和埋氧化层进行刻蚀得到刻蚀槽，刻蚀槽暴露硅衬底，刻蚀槽的侧壁为隔离结构的侧壁，或刻蚀槽的侧壁包括埋氧化层的侧壁和隔离结构的侧壁，之后在刻蚀槽中选择性外延生长半导体材料，以形成半导体结构，去除覆盖层，隔离结构的侧壁和埋氧化层的侧壁不为半导体材料，因此在选择性外延生长半导体材料时，隔离结构的侧壁和埋氧化层的侧壁不容易生长，容易从硅衬底向上生长质量较好的半导体结构，降低工艺缺陷。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底结构，所述衬底结构包括硅衬底、所述硅衬底上的埋氧化层和所述埋氧化层上的半导体层； 在所述衬底结构中形成隔离结构；所述隔离结构至少贯穿所述半导体层； 形成覆盖所述半导体层和所述隔离结构的覆盖层； 对相邻两个隔离结构之间的所述覆盖层、半导体层和所述埋氧化层进行刻蚀得到刻蚀槽；所述刻蚀槽暴露所述硅衬底；所述刻蚀槽的侧壁为所述隔离结构的侧壁，或所述刻蚀槽的侧壁包括所述埋氧化层的侧壁和所述隔离结构的侧壁； 在所述刻蚀槽中选择性外延生长半导体材料，以形成半导体结构；去除所述覆盖层。
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