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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种基于SiC模块的高功率密度通用电力电子模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114553018B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210197783.1，技术领域涉及：H02M7/00；该发明授权一种基于SiC模块的高功率密度通用电力电子模块是由王来利;温浚铎;靳浩源;董晓博;赵成设计研发完成，并于2022-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SiC模块的高功率密度通用电力电子模块在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于SiC模块的高功率密度通用电力电子模块，能够减小设计成本、保证系统整体可靠性、简化系统结构、提升整个系统的可操作性，可应用于大功率的电力电子变换器中。检测电路和控制电路集成在PCB上形成检测控制板，直流侧母排和直流滤波电容设置在检测控制板上，直流侧母排采用双层叠层母排，直流滤波电容分别与直流侧母排的DC+铜排和DC‑铜排连接，检测控制板上集成有通讯接口；SiC模块置于散热系统上，其源极与DC+铜排连接，漏极与DC‑铜排连接，SiC模块半桥与交流侧端子连接，SiC模块GS端通过对应引脚与驱动电路连接，解耦电容置于SiC模块的漏源极之间。

本发明授权一种基于SiC模块的高功率密度通用电力电子模块在权利要求书中公布了：1.一种基于SiC模块的高功率密度通用电力电子模块，其特征在于，包括直流滤波电容1、检测电路、直流侧母排6、SiC模块7、散热系统、交流侧端子11、驱动电路10、控制电路以及解耦电容15； 其中，所述检测电路和控制电路集成在PCB上形成检测控制板5，所述直流侧母排6和直流滤波电容1设置在检测控制板5上，所述直流侧母排6采用双层叠层母排，直流侧母排6包括DC+铜排18和DC-铜排20，所述直流滤波电容1分别与DC+铜排18和DC-铜排20连接，所述检测控制板5的信息传输端与驱动电路10连接，检测控制板5上集成有通讯接口14； 所述SiC模块7置于所述散热系统上，SiC模块7的源极与DC+铜排18连接，SiC模块7的漏极与DC-铜排20连接，SiC模块7内的半桥与所述交流侧端子11连接，SiC模块7的GS端通过对应引脚与驱动电路10连接，所述解耦电容15置于SiC模块7的漏源极之间； 所述直流侧母排6还包括外绝缘层和内绝缘层19，其中，所述外绝缘层包裹在所述DC+铜排18和DC-铜排20的外侧，所述内绝缘层19置于DC+铜排18和DC-铜排20之间； 所述DC+铜排18和DC-铜排20做挖空设计，用于满足直流侧母排6的电气绝缘与爬电距离要求； 所述散热系统采用散热器8，所述SiC模块7置于散热器8上，SiC模块7的外壳与散热器8贴合，所述散热器8包括通风通道，通风通道的两侧置有散热风扇9； 所述直流滤波电容1为多个薄膜电容并联构成； 所述交流侧端子11包括交流侧端子绝缘层以及交流侧端子铜排，其中，交流侧端子绝缘层包裹在交流侧端子铜排外侧。

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