上海微电子装备(集团)股份有限公司王博获国家专利权
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龙图腾网获悉上海微电子装备(集团)股份有限公司申请的专利一种相移掩膜版以及光刻机狭缝透光均匀性的检测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114690537B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011564153.0,技术领域涉及:G03F1/26;该发明授权一种相移掩膜版以及光刻机狭缝透光均匀性的检测方法是由王博;朱晓亮设计研发完成,并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种相移掩膜版以及光刻机狭缝透光均匀性的检测方法在说明书摘要公布了:本发明实施例公开了一种相移掩膜版以及光刻机狭缝透光均匀性的检测方法。该检测方法包括:利用第一相移掩膜版,按照预设的曝光剂量在第一测试硅片上分别以不同的焦面位置进行曝光;检测不同焦面位置每个标记图形的相移误差,对相移误差和焦面位置的关系曲线进行拟合,并获得斜率slope’;计算每个标记图形对应的斜率slope与曝光剂量拟合直线的纵截距b’;最后根据每个标记图形的纵截距b’的离散度,确定狭缝照明的均匀性。本发明实施例可以解决现有照明均匀性测量只能采用离线测量的问题,不仅能够适应复杂多变的实际工况,还能快速判断是否需要重新校准垂向照明系统,简化测量流程,保证机台不停机,持续生产。
本发明授权一种相移掩膜版以及光刻机狭缝透光均匀性的检测方法在权利要求书中公布了:1.一种相移掩膜版,其特征在于,用于进行光刻机狭缝透光均匀性检测,所述相移掩膜版包括分别沿多行多列依次周期排布的多个标记图形; 所述标记图形包括周期排布且相互平行的多个遮光条;所述遮光条包括第一遮光条和第二遮光条,相邻的两个所述第一遮光条之间间隔至少一个所述第二遮光条;所述第一遮光条的一侧或两侧设有相移区; 所述第一遮光条和所述第二遮光条的长度和宽度均相等; 所述第一遮光条和所述第二遮光条的间距等于所述第一遮光条的宽度和所述第二遮光条的宽度; 所述第一遮光条的宽度和所述第二遮光条的宽度的大小均等于光刻机的分辨率; 所述相移区的宽度等于相邻的两个所述遮光条的间距的18~12。
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