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龙图腾网获悉西部数据技术公司申请的专利隧穿变磁阻存储器设备及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730588B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080079422.6，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权隧穿变磁阻存储器设备及其操作方法是由B·普拉萨德;A·卡利佐夫设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本隧穿变磁阻存储器设备及其操作方法在说明书摘要公布了：一种磁阻存储器设备包括第一电极、第二电极和位于该第一电极与该第二电极之间的层堆叠。该层堆叠可包括铁电材料层和变磁性隧道结，该变磁性隧道结包含变磁性材料层、绝缘阻挡层和金属材料层。另选地，该层堆叠可包括多铁性材料层、变磁性材料层、绝缘阻挡层和参考磁化层。

本发明授权隧穿变磁阻存储器设备及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种磁阻存储器设备，所述磁阻存储器设备包括： 第一电极； 第二电极；和 层堆叠，所述层堆叠位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述层堆叠包括铁电材料层和变磁性隧道结，其中所述变磁性隧道结包括： 变磁性材料层； 金属材料层； 绝缘阻挡层，所述绝缘阻挡层位于所述金属材料层与所述变磁性材料层之间；和 至少一个特征，所述至少一个特征包括： a第一特征，其中： 所述铁电材料层包括两个双稳定极化方向； 沿着所述两个双稳定极化方向中的一个极化方向的非零电极化的对准在所述变磁性材料层中诱发磁性状态；并且 沿着所述两个双稳定极化方向中的另一极化方向的所述非零电极化的对准在所述变磁性材料层中诱发非磁性状态； 或者 b第二特征，其中所述金属材料层包括非磁性金属材料；或者 c第三特征，其中所述铁电材料层包括选自以下各项的材料：氧化铪、氧化锆、氧化铪-氧化锆、铁酸铋、钛酸钡、硬硼钙石、钛酸铋、铕钛酸钡、铁电聚合物、碲化锗、无水钾镁矾、钽钪酸铅、钛酸铅、锆钛酸铅、铌酸锂、铝氧化镧、聚偏二氟乙烯、铌酸钾、酒石酸钠钾、磷酸氧钛钾、钛酸铋钠、钽酸锂、镧钛酸铅、钛酸锆酸镧铅、磷酸二氢铵或磷酸二氢钾；或者 d第四特征，其中所述变磁性材料层包括选自以下各项的材料：Co、FeRh合金、EuSe合金、CrO2或LaSrMnO3；或者 e第五特征，其中所述绝缘阻挡层包括选自以下各项的材料：氧化镁、氧化铝、钛酸锶或它们的组合；或者 f第六特征包括编程电路，所述编程电路被配置为： 在所述第一电极与所述第二电极之间施加第一极性的第一编程脉冲以将所述变磁性材料层编程为磁性状态；并且 在所述第一电极与所述第二电极之间施加与所述第一极性相反的第二极性的第二编程脉冲以将所述变磁性材料层编程为非磁性状态。

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