联华电子股份有限公司杨柏宇获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利混合式接合结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743942B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110017678.0，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权混合式接合结构及其制作方法是由杨柏宇设计研发完成，并于2021-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本混合式接合结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种混合式接合结构及其制作方法，其中该混合式接合结构包含一第一导电结构和一第二导电结构，第一导电结构包含一第一导电层，一第一缓冲层环绕并接触第一导电层，一第一空气间隙环绕并接触第一缓冲层以及一第一介电层环绕并接触第一空气间隙，第二导电结构包含一第二导电层，一第二缓冲层接触第二导电层，一第二介电层环绕第二缓冲层，其中第二导电层和第一导电层接合，第一介电层和第二介电层接合。
本发明授权混合式接合结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种混合式接合结构的制作方法，包含： 进行空气间隙制作工艺以完成第N导电结构，其中N为由1至2的正整数，其中该空气间隙制作工艺，包含： 提供第一介电层； 形成蚀刻停止层覆盖该第一介电层； 形成牺牲层覆盖部分该蚀刻停止层，其中该牺牲层为多晶硅； 形成间隙壁环绕该牺牲层； 形成第二介电层覆盖该蚀刻停止层，其中该第二介电层的上表面与该牺牲层的上表面切齐； 移除该牺牲层以及该牺牲层正下方的该蚀刻停止层以形成沟槽； 依序形成第一缓冲层和第一导电层填入该沟槽，并且该第一缓冲层接触该间隙壁；以及 移除该间隙壁以形成空气间隙围绕该缓冲层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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