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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种U型栅沟槽型SiC MOSFET的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744023B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210436851.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种U型栅沟槽型SiC MOSFET的制造方法是由张瑜洁;张长沙;何佳;李佳帅设计研发完成，并于2022-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种U型栅沟槽型SiC MOSFET的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种U型栅沟槽型SiCMOSFET的制造方法，包括如下步骤：在碳化硅衬底上形成漂移层，在漂移层上形成阻挡层，对阻挡层蚀刻，离子注入，形成导电区；重新形成阻挡层，对阻挡层蚀刻，离子注入，形成掩蔽层；将掩蔽层以上的区域通过杂质补偿恢复成与漂移层杂质浓度一样；蚀刻形成栅极区，氧化栅极区，形成栅极绝缘层；淀积栅极；通过重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻，离子注入，分别形成夹断区、源区、源极金属层以及栅极金属层；去除所有阻挡层，并在碳化硅衬底上淀积漏极金属层，降低了导通电阻，提高栅氧可靠性。

本发明授权一种U型栅沟槽型SiC MOSFET的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种U型栅沟槽型SiCMOSFET的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：在碳化硅衬底上形成漂移层，在漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成导电区通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，形成导电区； 步骤2：重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成掩蔽层通孔，通过掩蔽层通孔对漂移层进行离子注入，形成掩蔽层； 步骤3：通过掩蔽层通孔进行离子注入，将掩蔽层以上的区域通过杂质补偿恢复成与漂移层杂质浓度一样； 步骤4：蚀刻形成栅极区，氧化栅极区，形成栅极绝缘层； 步骤5：淀积栅极； 步骤6：在漂移层上重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成夹断区通孔，通过夹断区通孔对漂移层进行离子注入，以形成夹断区； 步骤7：在漂移层上重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成源区通孔，通过源区通孔对漂移层进行离子注入，以形成源区； 步骤8：在漂移层上重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成源区金属通孔，通过源区金属通孔对源区淀积，形成源极金属层； 步骤9：重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻栅极金属淀积区，淀积形成栅极金属层； 步骤10：去除所有阻挡层，并在碳化硅衬底上淀积漏极金属层； 所述漂移层设于所述碳化硅衬底的上侧面；所述漂移层上设有掩蔽层、导电区以及栅极绝缘层，所述导电区底部以及掩蔽层底部均连接至所述漂移层，所述掩蔽层侧面连接至所述导电区，所述导电区侧面连接至所述漂移层，所述漂移层上设有U型槽，所述U型槽底部连接至所述掩蔽层顶部，所述栅极绝缘层设于所述U型槽上；所述栅极连接至所述栅极绝缘层；所述源区一侧面以及下侧面均连接至夹断区，所述源区另一侧面连接至所述栅极绝缘层，所述栅极绝缘层为U型；所述夹断区底部连接至所述漂移层以及导电区，所述源极金属层分别连接源区以及夹断区。

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