买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种内置异质结二极管的SiC沟槽型MOS器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744041B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210178643.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种内置异质结二极管的SiC沟槽型MOS器件结构是由贾云鹏;卢翔鸾;周新田;胡冬青;吴郁设计研发完成，并于2022-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种内置异质结二极管的SiC沟槽型MOS器件结构在说明书摘要公布了：一种内置多晶硅异质结二极管的SiC沟槽型MOS器件结构涉及功率半导体领域，包括源极金属、漏极金属、衬底、N‑漂移区、P‑shielding区、隔离氧化层、栅氧化层、多晶硅源、多晶硅栅、电流扩展层、P‑base区、N‑source区、P‑plus区。衬底一端与漏极金属接触，另一端与漂移层接触，电流扩展层设置于N‑漂移区上，P‑base区设置于电流扩展层上，N‑source区与P‑plus区并列排列设置于P‑base区上，多个沟槽形成于基区并垂直延伸至漂移层中；沟槽左侧填充多晶硅栅，右侧填充多晶硅源，多晶硅栅的左侧、右侧和底部与栅氧化层接触，多晶硅源左侧与栅氧化层接触，多晶硅源与N‑漂移区接触形成异质结。隔离氧化层分别与源极金属及沟槽和N‑source区接触，沟槽与N‑source区接触。本发明提升了开关速度，改善反向恢复电荷。

本发明授权一种内置异质结二极管的SiC沟槽型MOS器件结构在权利要求书中公布了：1.一种内置异质结二极管的SiC沟槽型MOS器件结构，所述内置异质结二极管的SiC沟槽型MOSFET结构，包括源极金属、漏极金属、衬底、N-漂移区、P-shielding区、隔离氧化层、栅氧化层、多晶硅源、多晶硅栅、电流扩展层、P-base区、N-source区、P-plus区；所述衬底一端与漏极金属接触，另一端与N-漂移区接触，所述电流扩展层设置于N-漂移区上，所述P-base区设置于电流扩展层上，所述N-source区与P-plus区并列排列设置于P-base区上，多个沟槽形成于基区并垂直延伸至漂移层中；隔离氧化层分别与源极金属及沟槽和N-source区接触，所述沟槽与N-source区接触； 所述沟槽左侧填充多晶硅栅，右侧填充多晶硅源，其中，多晶硅栅的左侧、右侧和底部与栅氧化层接触，多晶硅源左侧与栅氧化层接触，该多晶硅源与N-漂移区接触形成异质结。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京工业大学，其通讯地址为：100124 北京市朝阳区平乐园100号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。