京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司贾宜訸获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114747011B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080002443.8，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及其制备方法、显示装置是由贾宜訸;丁向前;宋勇志;张小祥;李小龙;杨连捷;庞妍;刘静;刘建涛设计研发完成，并于2020-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：一种阵列基板及其制备方法、显示装置，所述阵列基板包括：基底；设置在基底上的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管上的第一钝化层、有机膜层和像素电极；用于连接所述薄膜晶体管的源电极和所述像素电极的连接结构，其中，所述连接结构设置在暴露出所述像素电极和所述源电极的过孔结构之中，或者，所述连接结构设置在所述像素电极和所述源电极之间。
本发明授权阵列基板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，包括： 基底； 设置在基底上的薄膜晶体管； 依次设置在薄膜晶体管上的第一钝化层、有机膜层和像素电极； 设置在所述像素电极远离所述基底的一侧的第二钝化层； 设置在所述第二钝化层远离所述基底的一侧上的公共电极和连接结构，所述连接结构与所述公共电极同层同材料设置，且通过一次构图工艺形成； 其中，所述连接结构用于连接所述薄膜晶体管的源电极和所述像素电极，其中，所述连接结构设置在暴露出所述像素电极和所述源电极的过孔结构之中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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