国际商业机器公司C·佐塔获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利无电容DRAM单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114762116B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080083660.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权无电容DRAM单元是由C·佐塔;C·康维蒂诺;L·克佐诺玛兹;S·卡格设计研发完成，并于2020-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本无电容DRAM单元在说明书摘要公布了：一种无电容DRAM单元200包括异质结构、在第一方向上邻接该异质结构的栅极结构106、107、在垂直于该第一方向的第二方向上邻接该异质结构的漏极结构108、以及在与该第二方向相反的方向上邻接该异质结构的源极结构104，该异质结构包括一个或多个半导体的沟道层610、612和一个或多个电绝缘的阻挡层620、622、624，该沟道层610、612和该阻挡层620、622、624在该第一方向上交替地堆叠。
本发明授权无电容DRAM单元在权利要求书中公布了：1.一种无电容DRAM单元，所述单元包括： 异质结构，所述异质结构包括一个或多个半导体的沟道层和至少两个电绝缘的阻挡层，其中所述沟道层和所述阻挡层在第一方向上交替地堆叠，其中每个阻挡层由不同材料制成； 栅极结构，所述栅极结构在所述第一方向上邻接所述异质结构，其中所述栅极结构包括邻接所述阻挡层的栅极绝缘体层； 漏极结构，所述漏极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上邻接所述异质结构；以及 源极结构，所述源极结构在与所述第二方向相反的方向上邻接所述异质结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人国际商业机器公司，其通讯地址为：美国纽约阿芒克；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励