芯盟科技有限公司华文宇获国家专利权
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龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114783954B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210369798.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法、存储器是由华文宇;刘藩东;胡宽;汪亚;崔胜奇设计研发完成，并于2022-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法、存储器在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制造方法、存储器，所述制造方法包括：提供衬底，所述衬底具有沿第一方向延伸的若干相互平行的栅结构；所述第一方向平行于所述衬底的表面；在相邻的所述栅结构之间形成沿第一方向延伸的若干相互平行的第一沟槽；在所述第一沟槽中形成预设深度的牺牲层；所述预设深度小于或等于所述第一沟槽的深度；形成覆盖所述牺牲层的阻挡层；从所述第一沟槽在所述第一方向上的至少一个开口位置去除所述牺牲层，形成空气间隙。
本发明授权半导体结构及其制造方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底，所述衬底具有沿第一方向延伸的若干相互平行的栅结构；所述第一方向平行于所述衬底的表面； 在相邻的所述栅结构之间形成沿第一方向延伸的若干相互平行的第一沟槽； 在所述第一沟槽中形成预设深度的牺牲层；所述预设深度小于或等于所述第一沟槽的深度； 形成覆盖所述牺牲层的阻挡层； 从所述第一沟槽在所述第一方向上的至少一个开口位置去除所述牺牲层，形成空气间隙。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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