大族激光科技产业集团股份有限公司;深圳市大族半导体装备科技有限公司李春昊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉大族激光科技产业集团股份有限公司;深圳市大族半导体装备科技有限公司申请的专利一种半导体元件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823465B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210323719.3，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权一种半导体元件的制备方法是由李春昊;郝宏伟;王金生;仰瑞;巫礼杰;高云峰设计研发完成，并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体元件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种半导体元件的制备方法。所述半导体元件的制备方法包括在基底层的一侧面生长形成第一外延层；利用激光在基底层内形成第一改质层；将基底层沿第一改质层分离出预设厚度范围的第一衬底；其中，第一外延层位于第一衬底上；在第一外延层表面制备第一器件。本发明通过将激光由基底层的任意一侧入射，激光在基底层内部加工出第一改质层，直接加工出预设厚度范围的第一衬底，第一衬底厚度通常为50μm～150μm。由此可以提高加工效率，并且通过对第一衬底的剥离面进行磨抛，只需要将激光作用后的缺陷区域修平就可以得到预设厚度范围的第一衬底，可以有效地减小材料的过多浪费。
本发明授权一种半导体元件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件的制备方法，其特征在于，包括： 在基底层的一侧面生长形成第一外延层； 通过临时键合工序，将第一剥离衬底固定在所述第一外延层和所述基底层的表面； 利用激光在所述基底层内形成第一改质层； 将所述基底层沿所述第一改质层分离出预设厚度范围的第一衬底；其中，所述第一外延层位于所述第一衬底上； 对所述第一衬底的剥离面进行打磨； 通过临时键合工序，将所述第一衬底的剥离面固定在第一支撑衬底上； 在所述第一外延层表面制备第一器件； 通过解除键合工序，将所述第一衬底与所述第一支撑衬底分离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人大族激光科技产业集团股份有限公司;深圳市大族半导体装备科技有限公司，其通讯地址为：518057 广东省深圳市南山区深南大道9988号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励