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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于P型金刚石的氧化镓异质结肖特基二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823926B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210192822.9，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权基于P型金刚石的氧化镓异质结肖特基二极管及制备方法是由武玫;马晓华;杨凌;贾富春;侯斌;张濛;朱青;郝跃设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于P型金刚石的氧化镓异质结肖特基二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于P型金刚石的氧化镓异质结肖特基二极管及制备方法，二极管包括：衬底层、漂移层、若干P型金刚石区、阴极和阳极，其中，阴极、衬底层、漂移层依次层叠；若干P型金刚石区间隔分布在漂移层的表层中；阳极位于漂移层的表面，且阳极的一端与一P型金刚石区部分交叠，另一端与另一P型金刚石区部分交叠；P型金刚石区包括第一阶区域和第二阶区域，第一阶区域位于第二阶区域上，第一阶区域的侧面和第二阶区域的侧面中至少一个侧面相对于漂移层的表面倾斜。该肖特基二极管缓和了结势垒肖特基二极管的电场集中问题，同时规避了制备P型Ga22O33的难题，实现了高质量的肖特基二极管。

本发明授权基于P型金刚石的氧化镓异质结肖特基二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于P型金刚石的氧化镓异质结肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底层1、漂移层2、若干P型金刚石区3、阴极4和阳极5，其中， 所述阴极4、所述衬底层1、所述漂移层2依次层叠； 所述若干P型金刚石区3间隔分布在所述漂移层2的表层中； 所述阳极5位于所述漂移层2的表面，且所述阳极5的一端与一所述P型金刚石区3部分交叠，另一端与所述另一所述P型金刚石区3部分交叠； 所述衬底层1的材料包括第一n型Ga2O3，所述漂移层2的材料包括第二n型Ga2O3；所述漂移层2和所述若干P型金刚石区3之间形成pn结； 所述P型金刚石区3包括第一阶区域31和第二阶区域32，所述第一阶区域31位于所述第二阶区域32上且所述第二阶区域32连通，所述第一阶区域31和所述第二阶区域32的形状均包括倒梯形且形成二阶斜槽结构，所述第一阶区域31的下底与所述第二阶区域32的上底重合，所述第一阶区域31相对于所述漂移层2表面的倾斜角度大于所述第二阶区域32相对于所述漂移层2表面的倾斜角度。

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