ASML控股股份有限公司P·C·科奇斯珀格获国家专利权
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龙图腾网获悉ASML控股股份有限公司申请的专利用于掩模版粒子检测的所关注的区处理的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115004109B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180010634.3，技术领域涉及：G03F1/84；该发明授权用于掩模版粒子检测的所关注的区处理的方法是由P·C·科奇斯珀格;C·M·道汉;J·L·克勒泽;M·E·帕洛斯基;A·本迪克塞;K·U·索博列夫;J·H·沃尔什;R·B·维纳;A·M·温卡塔拉曼设计研发完成，并于2021-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于掩模版粒子检测的所关注的区处理的方法在说明书摘要公布了：检查系统包括产生辐射束并且照射物体的第一表面的辐射源，从而限定所述物体的所述第一表面的区。所述辐射源还照射所述物体的第二表面，从而限定所述第二表面的区，其中所述第二表面位于所述物体内的与所述第一表面不同的深度水平处。所述检查系统也可以包括检测器，所述检测器限定所述第一表面的包括所述第一表面的所述区的视场FOV、并且接收从所述第一表面的所述区和所述第二表面的所述区散射的辐射。所述检查系统也可以包括处理器，所述处理器丢弃并非从所述第一表面的所述区接收的图像数据、并且构造合成图像，所述合成图像包括来自遍及所述第一表面的整个所述区的所述图像数据。
本发明授权用于掩模版粒子检测的所关注的区处理的方法在权利要求书中公布了：1.一种检查系统，包括： 辐射源，所述辐射源被配置成产生辐射束并且被配置成： 照射物体的第一表面，所述束的第一参数限定所述物体的所述第一表面的区，和 照射所述物体的第二表面，所述束的第二参数限定所述第二表面的区，其中所述第二表面位于所述物体内的与所述第一表面不同的深度水平处； 检测器，所述检测器被配置成： 限定所述第一表面的包括所述第一表面的所述区的视场，和 接收从所述第一表面的所述区和所述第二表面的所述区散射的辐射；以及 处理电路系统，所述处理电路系统被配置成： 丢弃并非从所述第一表面的所述区接收的图像数据，和 构造合成图像，所述合成图像包括来自遍及所述第一表面的整个所述区的所述图像数据。
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