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龙图腾网获悉中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种梯度掺杂半导体聚合物薄膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020578B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210630759.2，技术领域涉及：H10N10/856；该发明授权一种梯度掺杂半导体聚合物薄膜及其制备方法与应用是由李慧;徐真;陈立东设计研发完成，并于2022-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种梯度掺杂半导体聚合物薄膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种梯度掺杂半导体聚合物薄膜及其制备方法与应用，属于有机热电材料领域。所述梯度掺杂半导体聚合物薄膜包括半导体聚合物薄膜，以及附着于所述半导体聚合物薄膜所有区域上的掺杂剂；所述掺杂剂在半导体聚合物薄膜各区域的掺杂程度整体呈阶梯变化，所述阶梯变化包括半导体聚合物薄膜上形成单一掺杂剂含量的梯度变化或者形成掺杂剂种类的梯度变化。

本发明授权一种梯度掺杂半导体聚合物薄膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种梯度掺杂半导体聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述梯度掺杂半导体聚合物薄膜包括半导体聚合物薄膜，以及附着于所述半导体聚合物薄膜所有区域上的掺杂剂；所述掺杂剂在半导体聚合物薄膜各区域的掺杂程度整体呈阶梯变化，所述阶梯变化包括半导体聚合物薄膜上形成单一掺杂剂含量的梯度变化或者形成掺杂剂种类的梯度变化； 所述制备方法包括以下步骤：配制掺杂剂溶液，通过蒸镀法或者浸泡法对半导体聚合物薄膜进行单掺杂剂单一梯度掺杂、双掺杂剂单一梯度掺杂或者多梯度掺杂，得到所述梯度掺杂半导体聚合物薄膜； 所述单掺杂剂单一梯度掺杂的步骤包括：使用单一掺杂剂分别配制较低浓度A1与较高浓度A2的掺杂剂溶液；然后，将半导体聚合物薄膜全部浸泡在其中一种掺杂剂溶液中；接着，将全部浸泡过其中一种掺杂剂溶液的半导体聚合物薄膜的一端浸泡在另外一种掺杂剂溶液中，使得所述半导体聚合物薄膜上形成单一掺杂剂含量的梯度变化，得到单掺杂剂单一梯度掺杂的半导体聚合物薄膜；较低浓度A1为0.1mgmL-1～5mgmL-1，A1浓度掺杂剂溶液的掺杂时间为10s-5min；较高浓度A2为3mgmL-1～20mgmL-1，A2浓度掺杂剂溶液的掺杂时间为1min-30min； 所述双掺杂剂单一梯度掺杂的步骤包括：使用两种不同掺杂剂配制相同浓度B的掺杂剂溶液；然后，将半导体聚合物薄膜全部浸泡在其中一种掺杂剂溶液中；接着，将全部浸泡过其中一种掺杂剂溶液的半导体聚合物薄膜的一端浸泡在另外一种掺杂剂溶液中，使得所述半导体聚合物薄膜上形成掺杂剂种类的梯度变化，得到双掺杂剂单一梯度掺杂的半导体聚合物薄膜；浓度B为0.1mgmL-1～20mgmL-1，单次掺杂的时间为10s-30min； 所述多梯度掺杂的步骤包括：使用三种以上不同掺杂剂分别配制相同浓度的系列掺杂剂溶液；然后，将半导体聚合物薄膜全部浸泡在其中一种掺杂剂溶液中；接着，将全部浸泡过其中一种掺杂剂溶液的半导体聚合物薄膜依次浸泡在其他掺杂剂溶液中，通过控制薄膜在不同种类掺杂剂溶液中的浸泡深度，实现不同区域的梯度掺杂，使得所述半导体聚合物薄膜上形成掺杂剂种类的梯度变化，得到多梯度掺杂的半导体聚合物薄膜。

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