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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利一种探测器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115159447B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210757135.7，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种探测器的制备方法是由康晓旭设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种探测器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种探测器的制备方法，该方法能够改善微桥单元结构的均匀性问题。该方法包括提供硅衬底，硅衬底上形成有读出电路；在硅衬底的表面形成金属反射层和介质层；在金属反射层和介质层表面依次沉积第一牺牲层、第二牺牲层、第一释放保护层和敏感材料探测层、金属电极层，以及图形化金属电极层；沉积形成包覆敏感材料探测层和金属电极层的第二释放保护层；图形化第二释放保护层后进行刻蚀形成接触孔，以及在接触孔内沉积金属，形成支撑结构；沉积第三释放保护层，并图形化形成微桥单元结构；在微桥单元结构表面沉积第三牺牲层；进行光刻刻蚀，形成梁结构；工艺释放去除第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层，形成悬空的微桥单元结构。

本发明授权一种探测器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种探测器的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供硅衬底，所述硅衬底上形成有读出电路； 在所述硅衬底的表面形成金属反射层和介质层； 在所述金属反射层和所述介质层表面依次沉积第一牺牲层、第二牺牲层、第一释放保护层和敏感材料探测层、金属电极层，以及图形化金属电极层； 沉积形成包覆所述敏感材料探测层和所述金属电极层的第二释放保护层； 图形化所述第二释放保护层后进行刻蚀形成暴露部分所述金属反射层的接触孔，以及在所述接触孔内沉积金属，形成支撑结构； 沉积第三释放保护层，并图形化形成微桥单元结构，所述微桥单元结构包括所述第一释放保护层、所述敏感材料探测层、所述金属电极层、所述第二释放保护层和所述第三释放保护层； 在所述微桥单元结构表面沉积第三牺牲层； 进行光刻刻蚀形成梁结构，所述微桥单元结构通过所述梁结构与所述支撑结构相连接； 工艺释放去除所述第一牺牲层、所述第二牺牲层和所述第三牺牲层，形成悬空的所述微桥单元结构。

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