南京大学王永磊获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利基于光栅型栅压结构的电学各向异性器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207210B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210796778.2，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权基于光栅型栅压结构的电学各向异性器件及其制备方法是由王永磊;王婷婷设计研发完成，并于2022-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于光栅型栅压结构的电学各向异性器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于光栅型栅压结构的电学各向异性器件及其制备方法，通过在异质结上设置光栅型栅压电极结构，建立一个大小原位可调的电势场，形成人工条纹相电子通道，实现对下层二维电子气的横向电阻和纵向电阻的原位调控；在相互垂直的两个方向上实现巨大的正磁电阻和负磁电阻效应，调控出巨大的电学各向异性。本发明通过在十字交叉的半导体异质结上生长金属光栅型栅压电极结构，可以实现磁场下的不同电流方向下的巨大的平面电学各向异性；通过改变栅压大小，可以对器件电各向异性的大小进行原位调控。此外，本方法微加工工艺简单，可以推广到其他二维材料体系中，具有很好的普适性以及可大面积批量生产等优点。
本发明授权基于光栅型栅压结构的电学各向异性器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于光栅型栅压结构的电学各向异性器件，其特征在于：通过在十字交叉的AlGaNGaN异质结上设置光栅型栅压结构，得到十字霍尔器件；建立一个大小原位可调的电势场，形成人工条纹相电子通道，实现对下层二维电子气的横向电阻和纵向电阻的原位调控；在相互垂直的两个方向上实现巨大的正磁电阻和负磁电阻效应，调控出巨大的电学各向异性。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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