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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种模拟单晶硅高压干氧热氧化工艺的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249517B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210762591.0，技术领域涉及：G16C20/10；该发明授权一种模拟单晶硅高压干氧热氧化工艺的方法是由李兴冀;杨剑群;刘中利;李伟奇;吕钢设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种模拟单晶硅高压干氧热氧化工艺的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种模拟单晶硅高压干氧热氧化工艺的方法，涉及硅工艺模拟技术领域，包括如下步骤：步骤S1：构建单晶硅的模型，在模型中的单晶硅表面设置真空层，在真空层内添加O22分子，并在高于大气压的状态下采用反应力场分子动力学方法对单晶硅的原子位置进行优化；步骤S2：加热单晶硅至反应温度后，保持恒温恒压，至单晶硅与O22分子充分反应，对模型退火，冷却后优化原子位置，得到氧化样品；氧化样品包括氧化层、次氧化层和硅基底层；步骤S3：获取氧化层和次氧化层的结构特征参数。本发明通过高压提高O22分子浓度加快反应速率，并获取氧化层及次氧化层结构特征参数，有利于研究氧化层与次氧化层界面处的次氧化状态和应力分布。

本发明授权一种模拟单晶硅高压干氧热氧化工艺的方法在权利要求书中公布了：1.一种模拟单晶硅高压干氧热氧化工艺的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1：构建单晶硅的模型，在所述模型中的所述单晶硅表面设置真空层，在所述真空层内添加O2分子，并在高于大气压的状态下采用反应力场分子动力学方法对所述单晶硅的原子位置进行优化；所述模型的形状为长方体形状，所述真空层设置于所述模型的两端，利用分子动力学模拟软件LAMMPS构建所述单晶硅的模型； 步骤S2：加热所述单晶硅至反应温度后，保持恒温恒压，至所述单晶硅与所述O2分子充分反应，对所述模型退火，冷却后优化原子位置，得到氧化样品；所述氧化样品包括氧化层、次氧化层和硅基底层； 步骤S3：获取所述氧化层和所述次氧化层的结构特征参数；所述结构特征参数至少包括键长、键角、配位数、缺陷类型和缺陷浓度；所述氧化层和所述次氧化层的结构特征参数用于在原子层面掌握所述氧化层与所述次氧化层界面处的次氧化状态和应力分布情况。

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