联华电子股份有限公司许家彰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体存储器元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249726B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110446979.5，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权半导体存储器元件及其制作方法是由许家彰;翁堂钧;林承毅;陈永珅;林佳弘设计研发完成，并于2021-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体存储器元件及其制作方法，其中该半导体存储器元件包含一基底，其上设有一导体区域；一层间介电层，设于所述基底上；一导电通孔，电连接到所述导体区域，其中所述导电通孔包括嵌入在所述层间介电层中的一下部和从所述层间介电层的一顶面突出的一上部，其中所述上部具有一圆弧形顶面；以及一存储结构，顺形地覆盖所述圆弧形顶面。
本发明授权半导体存储器元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器元件，其特征在于，包含： 基底，其上设有导体区域； 层间介电层，设于所述基底上； 导电通孔，电连接到所述导体区域，其中所述导电通孔包括嵌入在所述层间介电层中的下部和从所述层间介电层的顶面突出的上部，其中所述上部具有圆弧形顶面，其中在该半导体存储器元件的剖面结构中所述上部的最大宽度不大于所述下部的宽度；以及 存储结构，包含依序顺形地覆盖所述圆弧形顶面的下电极层、磁隧穿结堆叠和上电极层，其中所述下电极层直接接触所述层间介电层的顶面和所述上部的圆弧形顶面，所述下电极层的侧壁与所述磁隧穿结堆叠和所述上电极层的侧壁彼此切齐，所述层间介电层的部分所述顶面位于所述下电极层的所述侧壁与所述导电通孔的所述上部之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人联华电子股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励