联华电子股份有限公司曾圣伦获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体掩模图案的修正方法及其半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346861B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110527032.7，技术领域涉及：H10P76/40；该发明授权半导体掩模图案的修正方法及其半导体结构是由曾圣伦;潘彦廷;许智伟设计研发完成，并于2021-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体掩模图案的修正方法及其半导体结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体掩模图案的修正方法及其半导体结构，其中该半导体掩模图案的修正方法包括下述步骤:首先，将半导体掩模图案中的一个待修正图案分隔成可彼此对称且可重合的多个对称子区块。然后，对多个对称子区块中的一者进行光学近似修正，以获得修正模板。根据修正模板对应多个对称子区块中的其它者产生至少一个修正模板副本。拼接修正模板和至少一个修正模板副本，以形成一个组合修正图案取代原来的待修正图案。
本发明授权半导体掩模图案的修正方法及其半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体掩模图案的修正方法，包括: 将半导体掩模图案中的待修正图案分隔成可彼此对称且可重合的多个对称子区块，其中该多个对称子区块中的每一者包括至少二种不同的图案单元； 对该多个对称子区块中的一者进行光学近似修正，以获得修正模板； 根据该修正模板对应该多个对称子区块中的其它者产生至少一修正模板副本；以及 拼接该修正模板和该至少一修正模板副本，以形成组合修正图案取代该待修正图案， 其中进行该光学近似修正，以获得该修正模板的步骤，包括: 将该光学近似修正的范围扩大至该多个对称子区块中的一者的边缘区域； 进行该光学近似修正，以形成扩大修正模板；以及 剃除该扩大修正模板对应该边缘区域的部分，以形成该修正模板。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人联华电子股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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