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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种金刚石衬底GaN HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038311B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511555025.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种金刚石衬底GaN HEMT器件及其制备方法是由陈堂胜;吴立枢;孔月婵设计研发完成，并于2025-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金刚石衬底GaN HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金刚石衬底GaNHEMT器件及其制备方法，制备方法包括以下步骤：将金刚石衬底与第一临时载片通过第一临时粘片进行临时粘贴，GaNHEMT器件原始衬底上依次设置GaNHEMT外延层和GaNHEMT器件，将GaNHEMT器件与第二临时载片通过第二临时粘片进行临时粘贴；将GaNHEMT器件原始衬底完全去除；通过表面原子束活化键合法将薄金刚石衬底与GaNHEMT器件直接键合；去除第一临时载片和第一临时粘片；去除第二临时载片和第二临时粘片；在所得物背面制备背孔，电镀用于与正面源极金属互联的金属层。本发明大幅减小了金刚石材料制造成本和加工难度，降低了键合界面热阻。

本发明授权一种金刚石衬底GaN HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石衬底GaNHEMT器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一，将厚度为80~100μm的金刚石衬底1与第一临时载片3通过第一临时粘片2进行临时粘贴，GaNHEMT器件原始衬底4上依次设置GaNHEMT外延层5和GaNHEMT器件6，将GaNHEMT器件6与第二临时载片8通过第二临时粘片7进行临时粘贴； 步骤二，将GaNHEMT器件原始衬底4完全去除； 步骤三，通过表面原子束活化键合法将金刚石衬底1与GaNHEMT器件6直接键合； 步骤四，去除第一临时载片3和第一临时粘片2； 步骤五，去除第二临时载片8和第二临时粘片7； 步骤六，在步骤五所得物背面制备背孔，电镀用于与正面源极金属互联的金属层9，得到金刚石衬底GaNHEMT器件； 所述步骤三中，表面原子束活化键合法的原子束轰击束流电压为1.2~1.8kV，电流为100~180mA，轰击活化时间为10~60s，键合的真空度小于1×10-5Pa，在60~100kN压力下进行。

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