篆芯半导体(苏州)有限公司王星获国家专利权
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龙图腾网获悉篆芯半导体(苏州)有限公司申请的专利芯片模块及电子设备获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223899395U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520132587.5,技术领域涉及:H05K1/11;该实用新型芯片模块及电子设备是由王星;柳雷;刘军设计研发完成,并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片模块及电子设备在说明书摘要公布了:本实用新型涉及芯片的封装领域,具体涉及一种芯片模块及电子设备。该芯片模块包括印刷电路板、芯片封装结构及电容,印刷电路板包括相反设置的第一面、第二面及贯通第一面和第二面的多个贯通孔,芯片封装结构面向第一面设置,芯片封装结构包括电源栅球区,电源栅球区上设有多个电源栅球,芯片封装结构通过部分电源栅球连接多个贯通孔,电容面向第二面设置,部分电容跨过未连接设置贯通孔的区域并连接印刷电路板。根据本实用新型的芯片模块,印刷电路板第二面具备空间用于设置大尺寸的大容量电容,电容可提供及时而充足的电荷补给,从而平稳电压波动并抑制电源平面路上的瞬态交流电压噪声。
本实用新型芯片模块及电子设备在权利要求书中公布了:1.一种芯片模块,其特征在于,包括: 印刷电路板,所述印刷电路板包括相反设置的第一面、第二面及贯通所述第一面和所述第二面的多个贯通孔; 芯片封装结构,所述芯片封装结构面向所述第一面设置,所述芯片封装结构包括电源栅球区,所述电源栅球区上设有多个电源栅球,所述芯片封装结构通过部分所述电源栅球连接所述多个贯通孔; 电容,所述电容面向所述第二面设置,且部分所述电容跨过未设置所述贯通孔的区域并连接所述印刷电路板。
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