深圳市优恩半导体有限公司项继超获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市优恩半导体有限公司申请的专利一种半导体封装结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223899573U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520533351.2,技术领域涉及:H10D80/20;该实用新型一种半导体封装结构是由项继超;付建峰;甘増荣设计研发完成,并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体封装结构在说明书摘要公布了:本申请涉及一种半导体封装结构,包括:线路板,包括独立设置的主线路基板及辅线路基板;芯片,设置于所述主线路基板,所述芯片的表面覆盖有塑封层;以及外接电子器件,设置于所述辅线路基板,所述主线路基板与辅线路基板电性连接。本申请提供的半导体封装结构,芯片与外接电子器件设置于不同的线路基板,从而,在对芯片进行塑封时,不会影响到外接电子器件,等芯片塑封完毕,再将辅线路基板组装主线路基板,不需要再开模形成特定的模具,也不会造成物料的浪费。
本实用新型一种半导体封装结构在权利要求书中公布了:1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括: 线路板1,包括独立设置的主线路基板10及辅线路基板12; 芯片2,设置于所述主线路基板10,所述芯片2的表面覆盖有塑封层4;以及 外接电子器件3,设置于所述辅线路基板12,所述辅线路基板12与主线路基板10固定且电性连接。
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