台湾积体电路制造股份有限公司苏子昂获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利电路结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223899574U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202322829601.0，技术领域涉及：H10D84/60；该实用新型电路结构是由苏子昂设计研发完成，并于2023-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本电路结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种电路结构，包括第一双极性接面晶体管BJT，形成在超晶格结构上，第一双极性接面晶体管具有第一基极、第一射极以及第一集极；以及第二双极性接面晶体管，形成在超晶格结构上，第二双极性接面晶体管具有第二基极、第二射极以及第二集极，其中第一射极电性耦接至第二基极，并且第一集极与第二集极彼此电性耦接。
本实用新型电路结构在权利要求书中公布了：1.一种电路结构，其特征在于，包括： 一第一双极性接面晶体管，形成在一超晶格结构上，所述第一双极性接面晶体管具有一第一基极、一第一射极以及一第一集极；以及 一第二双极性接面晶体管，形成在所述超晶格结构上，所述第二双极性接面晶体管具有一第二基极、一第二射极以及一第二集极， 其中所述第一射极电性耦接至所述第二基极，并且所述第一集极与所述第二集极彼此电性耦接。
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