芯聆半导体(苏州)有限公司张静芳获国家专利权
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龙图腾网获悉芯聆半导体(苏州)有限公司申请的专利大功率H桥驱动电路布局及多通道H桥驱动电路布局获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223899575U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520516293.2，技术领域涉及：H10D89/10；该实用新型大功率H桥驱动电路布局及多通道H桥驱动电路布局是由张静芳;黄硕设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本大功率H桥驱动电路布局及多通道H桥驱动电路布局在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种大功率H桥驱动电路布局及多通道H桥驱动电路布局，该大功率H桥驱动电路布局中，通过在高边驱动单元与低边驱动单元之间设置接入第一电源电压的第一NBL隔离层，使得在第一高边驱动管、第二高边驱动管、第一低边驱动管以及第二低边驱动管的功率较大时，该第一NBL隔离层能够隔离高边驱动单元以及低边驱动单元，进而减少高边驱动单元与低边驱动单元之间产生漏电或者闩锁效应的情况。
本实用新型大功率H桥驱动电路布局及多通道H桥驱动电路布局在权利要求书中公布了：1.一种大功率H桥驱动电路布局，其特征在于，包括： 高边驱动单元，所述高边驱动单元包括第一高边驱动管和第二高边驱动管，所述第二高边驱动管与所述第一高边驱动管沿第一方向设置，且所述第一高边驱动管与所述第二高边驱动管之间存在距离； 低边驱动单元，所述低边驱动单元包括第一低边驱动管和第二低边驱动管，所述第二低边驱动管与所述第一低边驱动管沿第一方向设置，所述第一低边驱动管与所述第二低边驱动管之间存在距离，所述第一低边驱动管与所述第一高边驱动管沿第二方向设置，所述第二低边驱动管与所述第二高边驱动管沿第二方向设置，所述第一方向与所述第二方向相垂直； 第一NBL隔离层，所述第一NBL隔离层接入第一电源电压，所述第一NBL隔离层位于所述高边驱动单元与所述低边驱动单元之间，且所述第一NBL隔离层与所述高边驱动单元之间以及所述第一NBL隔离层与所述低边驱动单元之间均存在距离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯聆半导体(苏州)有限公司，其通讯地址为：215163 江苏省苏州市高新区锦峰路158号27幢402室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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