北京智创芯源科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智创芯源科技有限公司申请的专利一种碲镉汞分子束外延衬底及碲镉汞分子束外延器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223899600U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423249180.5，技术领域涉及：H10F77/30；该实用新型一种碲镉汞分子束外延衬底及碲镉汞分子束外延器件是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碲镉汞分子束外延衬底及碲镉汞分子束外延器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及红外探测器领域，特别是涉及一种碲镉汞分子束外延衬底及碲镉汞分子束外延器件，包括硅基体及碳化硅镀膜；所述硅基体包括外延生长面与加固面；所述外延生长面与所述加固面为一组相对的表面；所述碳化硅镀膜设置于所述加固面，且所述碳化硅镀膜覆盖所述加固面。本实用新型通过在硅基体表面增加镀膜的方式，将碳化硅制备于硅基体的背面，实现与硅基体之间的高强度结合，可显著减弱硅衬底因温度变化而产生的形变，另外使得热辐射源的损耗率显著降低，降低外延层中温度梯度，并有利于后续器件散热，大大降低外延过程中局部高温点的产生，进而提高碲镉汞薄膜的外延生长质量和最终得到的器件性能，碳化镀层可以增加基体硅的机械强度。
本实用新型一种碲镉汞分子束外延衬底及碲镉汞分子束外延器件在权利要求书中公布了：1.一种碲镉汞分子束外延衬底，其特征在于，包括硅基体及碳化硅镀层； 所述硅基体包括外延生长面与加固面；所述外延生长面与所述加固面为一组相对的表面； 所述碳化硅镀层设置于所述加固面，且所述碳化硅镀层覆盖所述加固面。
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