中国科学院高能物理研究所王仰夫获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院高能物理研究所申请的专利一种二维阵列式硅探测器的制冷结构及封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223899603U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520059990.X，技术领域涉及：H10F77/60；该实用新型一种二维阵列式硅探测器的制冷结构及封装结构是由王仰夫;江晓山;魏微;李怀申;王铮设计研发完成，并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维阵列式硅探测器的制冷结构及封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种二维阵列式硅探测器的制冷结构及封装结构。本申请的制冷结构包括硅基底板、硅基分流板、盖板以及两个接水管；所述硅基底板与所述硅基分流板之间通过硅‑硅键合工艺形成第一层微流道；所述硅基分流板与所述盖板通过阳极键合形成第二层微流道，用于为第一层微流道内每根流道分配流入的冷却介质与接收回流的冷却介质；两所述接水管分别与所述盖板上的冷却介质输入、输出端口连接，用于为微流道散热器提供循环冷却介质。本申请的制冷结构旨在降低探测器中各模块之间探测死区的同时，实现对各探测器模块高效、均匀制冷。
本实用新型一种二维阵列式硅探测器的制冷结构及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种二维阵列式硅探测器的制冷结构，其特征在于，包括硅基底板11、硅基分流板12、盖板13以及两个接水管14；所述硅基底板11与所述硅基分流板12之间通过硅-硅键合工艺形成第一层微流道；所述硅基分流板12与所述盖板13通过阳极键合形成第二层微流道，用于为第一层微流道内每根流道分配流入的冷却介质与接收回流的冷却介质；两所述接水管14分别与所述盖板13上的冷却介质输入、输出端口连接，用于为微流道散热器提供循环冷却介质。
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