台湾积体电路制造股份有限公司后藤贤一获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利晶体管结构及半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223899693U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520240419.8，技术领域涉及：H10W20/42；该实用新型晶体管结构及半导体装置是由后藤贤一;荷尔本朵尔伯斯;乔治奥斯韦理安尼堤斯;维拉杰马迪瓦拉;赖昇志设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管结构及半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型的实施例提供一种晶体管结构及半导体装置，晶体管结构包括栅电极、p型氧化物半导体通道层以及在所述栅电极和所述p型氧化物半导体通道层之间的栅极介电层，其中所述p型氧化物半导体通道层的晶格结构的主要晶相是由110晶相组成。氧化物半导体通道层具有特定的晶格结构以在其中实现更大的电荷载子迁移率及防止或减少来自栅极介电层和晶体管结构周围的其他层的氧和或氢污染的可能性。
本实用新型晶体管结构及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种晶体管结构，其特征在于，包括： 栅电极； p型氧化物半导体通道层，其中所述p型氧化物半导体通道层的晶格结构的主要晶相是由110晶相组成；以及 栅极介电层，在所述栅电极和所述p型氧化物半导体通道层之间。
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