重庆平创半导体研究院有限责任公司王晓获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆平创半导体研究院有限责任公司申请的专利功率半导体模块获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223899703U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520492363.5，技术领域涉及：H10W70/20；该实用新型功率半导体模块是由王晓;龙海洋;任真伟设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体模块在说明书摘要公布了：本申请属于功率半导体技术领域，具体涉及一种功率半导体模块，功率半导体模块包括散热基板、载体层和功率端子，载体层设置在散热基板上，功率端子设置在载体层上，功率端子包括间隔设置的负极功率端子和正极功率端子，负极功率端子包括垂直连接的第1折板、第2折板、第3折板、第4折板和第5折板，正极功率端子包括依次连接的第6折板、第7折板、第8折板和第9折板，第8折板平行设置在第3折板靠近载体层一侧，第9折板与第4折板平行。本申请基于磁路对消原理，将第8折板和第3折板设计成相邻的间隙配合平行导体，第9折板和第4折板设计成相邻的间隙配合平行导体，可以降低功率半导体模块的杂散参数，提高功率半导体模块的开关频率。
本实用新型功率半导体模块在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体模块，其特征在于，包括： 散热基板； 载体层，形成在所述散热基板一侧，至少用于承载芯片； 功率端子，设置在所述载体层远离所述散热基板一侧，所述功率端子包括沿所述散热基板的长度方向间隔设置的负极功率端子和正极功率端子； 所述负极功率端子包括依次垂直连接的第1折板、第2折板、第3折板、第4折板和第5折板，所述第1折板与所述载体层平行且设置在所述载体层上，在所述散热基板的长度方向，所述第1折板和所述第3折板位于所述第2折板的两侧，所述第3折板和所述第5折板位于所述第4折板的同一侧； 所述正极功率端子包括依次连接的第6折板、第7折板、第8折板和第9折板，所述第6折板与所述载体层平行且设置在所述载体层上，所述第8折板与所述第6折板平行，所述第8折板位于所述第3折板靠近所述载体层一侧，所述第9折板与所述第4折板平行，所述第8折板位于所述第9折板靠近所述第3折板一侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆平创半导体研究院有限责任公司，其通讯地址为：402760 重庆市璧山区璧泉街道红宇大道1号(2号楼、3号楼)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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