英特尔公司A·W·杨获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利用于高级集成电路结构制造的蚀刻停止层形貌获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109860101B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811298090.1，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权用于高级集成电路结构制造的蚀刻停止层形貌是由A·W·杨;R·布雷恩;M·L·哈藤多夫;C·P·奥特设计研发完成，并于2018-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于高级集成电路结构制造的蚀刻停止层形貌在说明书摘要公布了：本公开的实施例处于高级集成电路结构制造的领域，并且尤其是10纳米节点和更小集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括处于衬底上方的层间电介质ILD层中并由层间电介质层间隔开的多个导电互连线。多个导电互连线中的个体导电互连线具有低于ILD层的上表面的上表面。蚀刻停止层在ILD层和多个导电互连线上并与其共形，蚀刻停止层具有非平面上表面，该非平面上表面的最上部分在ILD层之上，并且该非平面上表面的最下部分在多个导电互连线之上。
本发明授权用于高级集成电路结构制造的蚀刻停止层形貌在权利要求书中公布了：1.一种集成电路结构，包括： 处于衬底上方的层间电介质ILD层中并由所述层间电介质ILD层间隔开的多个导电互连线，所述多个导电互连线中的个体导电互连线具有低于所述ILD层的上表面的上表面，其中，所述多个导电互连线中的个体导电互连线包括沿导电填充材料的侧壁和底部的阻挡层，并且其中，所述阻挡层的最上表面高于所述导电填充材料的最上表面，并且所述阻挡层具有与所述ILD层的上表面共面的最上表面； 处于所述ILD层和所述多个导电互连线上并与其共形的蚀刻停止层，所述蚀刻停止层具有非平面上表面，所述非平面上表面的最上部分在所述ILD层之上，并且所述非平面上表面的最下部分在所述多个导电互连线之上； 在所述多个导电互连线中的个体导电互连线上并与其电耦合的导电通孔，所述导电通孔在所述蚀刻停止层的开口中，所述开口在所述多个导电互连线中的个体导电互连线之上但不在所述ILD层之上，所述导电通孔在第二ILD层中；以及处于所述第二ILD层的部分上的电介质插塞，所述导电通孔低于所述电介质插塞的底部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英特尔公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励