中硼(厦门)医疗器械有限公司陈韦霖获国家专利权
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龙图腾网获悉中硼(厦门)医疗器械有限公司申请的专利中子捕获治疗系统及用于中子捕获治疗系统的射束整形体获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111821580B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910308038.8,技术领域涉及:A61N5/10;该发明授权中子捕获治疗系统及用于中子捕获治疗系统的射束整形体是由陈韦霖;江涛设计研发完成,并于2019-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本中子捕获治疗系统及用于中子捕获治疗系统的射束整形体在说明书摘要公布了:一种中子捕获治疗系统及用于中子捕获治疗系统的射束整形体,能够防止射束整形体材料本身变形损坏,改善中子射源的通量与品质。本发明的中子捕获治疗系统,包括中子产生装置和射束整形体,中子产生装置包括加速器和靶材,加速器加速产生的带电粒子线与靶材作用产生中子,中子形成中子束,中子束限定一根主轴,射束整形体包括缓速体、反射体和辐射屏蔽体,射束整形体还包括容纳缓速体的框架。
本发明授权中子捕获治疗系统及用于中子捕获治疗系统的射束整形体在权利要求书中公布了:1.一种中子捕获治疗系统,包括中子产生装置和射束整形体,所述中子产生装置包括加速器和靶材,所述加速器加速产生的带电粒子线与所述靶材作用产生中子,所述中子形成中子束,所述中子束限定一根主轴,其特征在于,所述射束整形体包括缓速体、反射体和辐射屏蔽体,所述缓速体将自所述靶材产生的中子减速至超热中子能区,所述反射体包围所述缓速体并将偏离所述主轴的中子导回至所述主轴以提高超热中子束强度,所述辐射屏蔽体用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量,所述射束整形体还包括容纳所述缓速体的框架;所述缓速体为可调整的,所述框架包括固定所述缓速体的定位构件和止位构件,所述缓速体包括基本部分和补充部分,所述基本部分和补充部分材料不同,所述框架形成至少一个容纳单元,所述容纳单元包括邻接的第一容纳单元和第二容纳单元,所述基本部分容纳在所述第一容纳单元内且为分片式可调整的,当减少所述基本部分的片数时,在所述第一容纳单元内设置所述定位构件进行补充,所述止位构件用于固定所述基本部分。
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