上海矽睿科技有限公司郭慧芳获国家专利权
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龙图腾网获悉上海矽睿科技有限公司申请的专利一种优化的磁阻传感器及磁阻感测结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112130101B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011142069.X,技术领域涉及:G01R33/02;该发明授权一种优化的磁阻传感器及磁阻感测结构是由郭慧芳;裘进设计研发完成,并于2020-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种优化的磁阻传感器及磁阻感测结构在说明书摘要公布了:本发明涉及传感器技术领域,尤其涉及一种磁阻传感器及单芯片,其中,包括:一基体,于基体的平面设置至少一个倾斜沟槽,倾斜沟槽包括两个斜面,每个斜面设置多个串联的磁阻感测单元,每个磁阻感测单元上设置有多个导体单元,形成至少一桥臂;多个导体单元和多个磁阻感测单元均延伸至基体的平面和斜面的底部平面。有益效果:便于感测垂直方向磁分量和\或水平方向磁分量,可减低斜面角度偏大时斜面刻蚀偏差带来的灵敏度低下的问题,弥补工艺误差且提高磁场的测量精度,以及提高产品的整体良率。
本发明授权一种优化的磁阻传感器及磁阻感测结构在权利要求书中公布了:1.一种优化的磁阻传感器,其特征在于,包括: 一基体,于所述基体的平面设置至少一个倾斜沟槽,所述倾斜沟槽包括两个斜面,每个所述斜面设置多个串联的磁阻感测单元,每个所述磁阻感测单元上设置有多个导体单元,形成至少一桥臂; 多个所述导体单元和多个所述磁阻感测单元均延伸至所述基体的平面和所述斜面的底部平面。
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