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龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112185931B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010630657.1，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体器件是由O.布兰克;G.内鲍尔设计研发完成，并于2020-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：公开了一种半导体器件。在一些实施例中，半导体器件包括半导体管芯，半导体管芯包括具有源极电极、漏极电极和栅极电极的竖向晶体管器件，半导体管芯具有第一表面和位于第一表面上的金属化结构。金属化结构包括在第一表面上的第一导电层、在第一导电层上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的第二导电层、在第二导电层上的第二绝缘层和在第二绝缘层上的第三导电层。第三导电层包括耦合到源极电极的至少一个源极焊盘、耦合到漏极电极的至少一个漏极焊盘以及耦合到栅极电极的至少一个栅极焊盘。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件20，包括： 半导体管芯21，其包括具有源极电极23、漏极电极24和栅极电极25的竖向晶体管器件22，半导体管芯21具有第一表面26； 金属化结构28，其位于第一表面26上，金属化结构28包括在第一表面26上的第一导电层29、在第一导电层29上的第一绝缘层30、在第一绝缘层30上的第二导电层31、在第二导电层31上的第二绝缘层32、以及在第二绝缘层32上的第三导电层33，其中，第三导电层33包括耦合到源极电极23的至少一个源极焊盘34；76、耦合到漏极电极24的至少一个漏极焊盘35；78、以及耦合到栅极电极25的至少一个栅极焊盘36；80，其中，第一导电层29包括耦合到源极电极23的第一源极再分配结构45、耦合到漏极电极24的第一漏极再分配结构46、以及耦合到栅极电极25的第一栅极再分配结构47，其中，第一源极再分配结构45包括多个分立的第一导电区48，其中，第一漏极再分配结构46包括多个分立的第二导电区49，所述多个分立的第二导电区49在横向上被定位在第一源极再分配结构45的第一分立导电区48之间并且在横向上与第一源极再分配结构45的第一分立导电区48间隔开，其中，第一漏极再分配结构46的所述多个分立的第二导电区49被通过第二导电层31中的第二漏极再分配结构58电耦合在一起，以及其中，第一源极再分配结构45的所述多个分立的第一导电区48被通过第三导电层33中的第三源极再分配结构68电耦合在一起。

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