杭州士兰微电子股份有限公司杨彦涛获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州士兰微电子股份有限公司申请的专利双向功率器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112309974B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011163996.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权双向功率器件及其制造方法是由杨彦涛;张邵华设计研发完成，并于2020-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本双向功率器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种双向功率器件及其制造方法，该双向功率器件包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；栅介质层，覆盖第一沟槽区的多个沟槽的下部侧壁；屏蔽介质层，覆盖第一沟槽区的多个沟槽的上部侧壁；以及栅极导体，位于第一沟槽区的多个沟槽中，并分别与栅介质层和屏蔽介质层接触，栅极导体包括相连的控制栅与屏蔽栅，控制栅与栅介质层接触，屏蔽栅与屏蔽介质层接触，其中，屏蔽介质层的厚度不一致，至少部分屏蔽介质层的厚度大于栅介质层的厚度。该器件通过将屏蔽介质层的至少部分厚度设置为大于栅介质层的厚度从而提升器件的耐压。
本发明授权双向功率器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种双向功率器件的制造方法，包括： 在半导体层中形成第一掺杂区； 形成第一沟槽区的多个沟槽，所述第一沟槽区的多个沟槽位于所述第一掺杂区中，将所述第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区； 形成覆盖所述第一沟槽区的多个沟槽的下部侧壁的栅介质层； 形成覆盖所述第一沟槽区的多个沟槽的上部侧壁的屏蔽介质层；以及在所述第一沟槽区的多个沟槽的中形成分别与所述栅介质层和所述屏蔽介质层接触的栅极导体，所述栅极导体包括相连的控制栅与屏蔽栅，所述控制栅与所述栅介质层接触，所述屏蔽栅与所述屏蔽介质层接触，其中，所述屏蔽介质层的厚度不一致，至少部分所述屏蔽介质层的厚度大于所述栅介质层的厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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