三星电子株式会社姜秉坤获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310224B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010748817.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件是由姜秉坤;金昌汎;李达熙;崔银希设计研发完成，并于2020-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：第一栅电极，设置在基板上并在第一水平方向上延伸；第一栅极接触和虚设栅极接触，在第一水平方向上彼此间隔开并与第一栅电极的顶表面接触；第一互连线，在第二水平方向上延伸并在关于基板的上表面的垂直方向上与第一栅极接触重叠；以及电压发生器，配置为产生第一电压并经由第一互连线和第一栅极接触将第一电压施加到第一栅电极。第一栅电极经由第一互连线和第一栅极接触从电压发生器接收第一电压。虚设栅极接触经由第一栅电极接收第一电压。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一栅电极，设置在基板上并在关于所述基板的上表面的第一水平方向上延伸； 第一栅极接触和虚设栅极接触，在所述第一水平方向上彼此间隔开并与所述第一栅电极的顶表面接触； 第一互连线，在关于所述基板的所述上表面的与所述第一水平方向不同的第二水平方向上延伸，并在关于所述基板的所述上表面的垂直方向上与所述第一栅极接触重叠； 器件隔离层，设置在所述基板中以限定有源区域；以及电压发生器，配置为产生第一电压并通过所述第一互连线和所述第一栅极接触将所述第一电压施加到所述第一栅电极，其中所述虚设栅极接触通过所述第一栅电极接收所述第一电压，以及其中所述虚设栅极接触在所述垂直方向上与所述有源区域重叠，或者在所述第一水平方向上与所述有源区域相邻。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励