东京毅力科创株式会社横山乔大获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利蚀刻处理方法和蚀刻处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447515B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010829812.2，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权蚀刻处理方法和蚀刻处理装置是由横山乔大;户村幕树;木原嘉英;本田昌伸设计研发完成，并于2020-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻处理方法和蚀刻处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供蚀刻处理方法和蚀刻处理装置。蚀刻处理方法包括：准备化合物的步骤；和在存在化合物的环境中，对形成有掩模膜的蚀刻对象进行蚀刻的步骤，当蚀刻对象包含氮化硅SiN时，对蚀刻对象进行蚀刻的步骤包括在存在氢H和氟F的环境中对蚀刻对象进行蚀刻的工序，当蚀刻对象包含硅Si时，对蚀刻对象进行蚀刻的步骤包括在存在氮N、氢H和氟F的环境中对蚀刻对象进行蚀刻的工序，化合物包含：碳C以及选自氯Cl、溴Br和碘I中的至少一种卤素。本发明能够改善蚀刻孔的形状并且提高掩模选择比。
本发明授权蚀刻处理方法和蚀刻处理装置在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻处理方法，其特征在于，包括： 准备化合物的步骤；和在存在所述化合物的环境中，对形成有掩模膜的蚀刻对象进行蚀刻的步骤，当所述蚀刻对象包含氮化硅SiN时，对所述蚀刻对象进行蚀刻的步骤包括在存在氢H和氟F的环境中对所述蚀刻对象进行蚀刻的工序，当所述蚀刻对象包含硅Si时，对所述蚀刻对象进行蚀刻的步骤包括在存在氮N、氢H和氟F的环境中对所述蚀刻对象进行蚀刻的工序，所述蚀刻对象的温度高于通过所述蚀刻对象的蚀刻生成的含硅的反应产物的挥发温度，所述化合物为氯仿CHCl3，所述氯仿CHCl3的流量相对于包含所述化合物的处理气体的总流量在15％以下的范围内。
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